Microchip Rilis Modul Daya 3,3 kV untuk Tingkatkan Efisiensi Pusat Data AI

JAKARTA — Perusahaan semikonduktor global, Microchip Technology, meluncurkan modul daya HV-D3 mSiC® 3,3 kV terbaru yang dirancang untuk mendukung pengembangan solid-state transformer (SST) di pusat data kecerdasan buatan (AI) hyperscale dan berbagai aplikasi daya tegangan tinggi lainnya.

Modul terbaru tersebut mengintegrasikan MOSFET silikon karbida (SiC) mSiC® 3,3 kV dan dioda Schottky dalam kemasan standar industri 62 mm. Teknologi ini memungkinkan distribusi daya yang lebih efisien langsung dari jaringan listrik tegangan menengah menuju rak server pusat data.

Peluncuran produk ini dilakukan di tengah meningkatnya kebutuhan daya pada pusat data AI. Pertumbuhan kemampuan token generation dalam sistem AI kini dinilai semakin bergantung pada ketersediaan daya listrik dan efisiensi distribusi energi untuk menjaga tingkat pengembalian investasi (return on investment/ROI).

Selama ini, arsitektur distribusi daya tradisional masih mengandalkan transformator besar dengan frekuensi rendah yang dinilai menambah kompleksitas sistem serta meningkatkan kehilangan daya. Solid-state transformer hadir sebagai alternatif dengan mengurangi tahapan konversi energi sehingga mampu meningkatkan efisiensi distribusi daya.

Perubahan menuju distribusi rak DC bertegangan lebih tinggi pada fasilitas AI generasi baru juga mendorong kebutuhan terhadap teknologi SST yang mampu menyalurkan daya DC teregulasi langsung dari jaringan tegangan menengah dengan proses konversi yang lebih sedikit.

Microchip menyebut modul HV-D3 mSiC dirancang untuk menjawab kebutuhan tersebut. Teknologi MOSFET mSiC yang digunakan diklaim memiliki stabilitas RDS(on) kompetitif pada berbagai suhu operasi. Modul ini juga dilengkapi kemampuan isolasi hingga 6 kV, material dengan rating CTI 600, serta jarak creepage yang diperpanjang guna mendukung koneksi seri secara aman pada sistem tegangan tinggi.

Selain itu, penggunaan substrat silikon nitrida (Si₃N₄) disebut mampu meningkatkan konduktivitas termal dan ketahanan power-cycling, sehingga membantu desainer sistem mencapai densitas daya lebih tinggi dengan kebutuhan pendinginan yang lebih rendah.

“Seiring pusat data AI terus mendorong batas distribusi daya dari jaringan listrik ke GPU, kebutuhan terhadap solid-state transformer menjadi semakin penting,” ujar Wakil Presiden High-Power Solutions Business Unit Microchip Technology, Clayton Pillion, dalam keterangannya pada hari Rabu (27/5).

Menurut dia, modul daya HV-D3 mSiC 3,3 kV memungkinkan pengurangan jumlah perangkat yang terhubung secara seri hingga sekitar separuh dibandingkan solusi SiC bertegangan lebih rendah saat digunakan pada jaringan 13,8 kV atau 34,5 kV.

“Perangkat ini juga menjawab kesenjangan utama di pasar industri untuk produk 100–300A, dengan menjembatani perangkat SiC diskret dan modul daya berukuran jauh lebih besar,” katanya.

Modul daya HV-D3 mSiC tersedia dalam konfigurasi half-bridge dan common-source, baik dengan maupun tanpa dioda Schottky anti-paralel, untuk mendukung aplikasi pada rentang 100–300A.

Selain untuk solid-state transformer di pusat data AI, modul ini juga ditujukan bagi berbagai aplikasi lain seperti infrastruktur pengisian daya megawatt kendaraan berat, sistem catu daya kereta dan transportasi berat, medium-voltage motor drives, hingga sistem daya industri dan pertahanan.

Microchip menyatakan telah memiliki pengalaman lebih dari dua dekade dalam pengembangan perangkat dan solusi silikon karbida guna mempercepat adopsi teknologi SiC di berbagai sektor industri.

Untuk mendukung pengembangan sistem, perusahaan juga menyediakan catatan aplikasi, panduan desain, model simulasi perangkat, serta layanan dukungan teknis global dan field application engineering.

Saat ini, modul daya mSiC 3,3 kV telah tersedia untuk pembelian dalam jumlah produksi melalui jaringan penjualan dan distributor resmi Microchip di berbagai negara.